Аннотация:
Проведено рентгеноструктурное исследование
текстурированных пленок окиси цинка, полученных реактивным триодным
распылением на постоянном токе. Показано, что при температурах подложек до
623 K, 20%-ном содержании кислорода в аргон-кислородной распылительной
смеси и давлении 0.066 Па осаждение пленок ZnO происходит с отклонением от
стехиометрии при дефиците кислорода, что явилось причиной наблюдаемых в пленках
механических напряжений. Увеличение давления до 0.13 Па и содержания
кислорода в распылительной смеси до 50% дало возможность получить пленки ZnO
стехиометрического состава в процессе осаждения. Исследована возможность
увеличения скорости осаждения, «нормально» ориентированных пленок
за счет уменьшения расстояния мишень–держатель подложек и электрического поля,
возникающего в поверхностном слое подложки из плавленного
кварца при ее предварительном облучении ионизирующим $\gamma$-излучением.