Определение профиля захваченного в нитриде кремния заряда
Ю. М. Ширшов, А. В. Набок
Аннотация:
Путем измерения временно́й зависимости тока смещения
в системе электролит–нитрид кремния–окисел–полупроводник
в процессе химического травления диэлектрика определены профиль захваченного
заряда и распределение электрического поля в нитриде кремния. Обнаружена
область повышенной концентрации центров захвата с энергией активации 0.95 эВ
вблизи внешней границы пленки нитрида кремния.
Полный текст:
PDF файл (611 kB)