Полосковые лазеры на основе ДГС в системе InGaAsP/InP, полученные имплантацией ионов кислорода

Рассмотрены особенности методики имплантации ионов кислорода высоких энергий в двойные гетероструктуры (ДГС) в системе InGaAsP/InP для создания полосковых лазеров. Изучено влияние дозы облучения, температуры отжига, глубины проникновения ионов кислорода и ширины полоскового контакта на пороговые, мощностные и волноводные свойства полосковых лазеров. Наименьшие значения пороговых токов ${I_{\text{пор}}= 60\div100}$ мА (300 K, ${L\sim300}$ мкм) получены при дозе облучения ${10^{14}{-}3\cdot10^{14}\,\text{ион/см}^{2}}$ для случая, когда глубина проникновения ионов кислорода в ДГС близка к толщине верхнего эмиттера, а ширина полоскового контакта ${w\simeq15}$ мкм. Дифференциальная квантовая эффективность через обе резонаторные грани достигала 40$-$60%. При ширине полоскового контакта ${w\leqslant13}$ мкм наблюдалось устойчивое возбуждение поперечной моды низшего порядка в плоскости $p{-}n$-перехода. Получен одночастотный режим генерации при токах накачки ${I_{\text{н}}\lesssim2I_{\text{пор}}}$.