Оптические свойства тонких слоев Ta$_{2}$O$_{5}$ на кремнии

С целью изучения особенностей состояния границы раздела Si$-$Та$_{2}$O$_{5}$ исследованы спектры отражения и электроотражения тонких слоев Та$_{2}$O$_{5}$ на кремнии, полученных катодным распылением Та в атмосфере Ar + 3% O$_{2}$. Выполнены расчеты спектров отражения структур Si$-$Та$_{2}$O$_{5}$ для оптически однородного и неоднородного слоя Та$_{2}$O$_{5}$, а также учитывая промежуточный поглощающий и диэлектрический слой между Si и Та$_{2}$O$_{5}$. На основе анализа экспериментальных и расчетных данных установлено наличие факторов, деструктирующих поверхность кремния на границе раздела Si$-$Та$_{2}$O$_{5}$, что приводит к образованию промежуточного поглощающего слоя.