Аннотация:
Численно методом Монте–Карло рассчитана кривая Пашена в гелии для
$E/P$ до ${6\cdot10^{3}\,\text{В/м}\cdot{}}$Па. Показано, что
основными процессами образования заряженных частиц в этой области
таунсендовского разряда являются эмиссия электронов под действием
бомбардировки катода ионами и быстрыми атомами, образовавшимися
в разрядном промежутке при перезарядках ионов, а также объемная
ионизация газа электронным ударом. Показано, что трехзначность зависимости
напряжения зажигания разряда от $Pd$ в левой ветви кривой Пашена
для гелия связана с тем, что значение $E/P$, при котором средняя энергия
быстрых атомов соответствует пороговой для кинетического механизма
вырывания электронов с поверхности металла, больше $E/P$, при котором
частота ионизации электронным ударом максимальна. Результаты
расчетов удовлетворительно согласуются с экспериментальными данными.