Диффузионная модель эпитаксиального роста твердых растворов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As из ограниченного расплава

Целью работы является дальнейшее развитие диффузионной модели применительно к случаю кристаллизации твердых растворов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As из ограниченного объема расплава. В качестве граничных условий использовано точное нелинейное уравнение ликвидуса. Результаты, полученные по диффузионной модели, сравниваются с аналогичными результатами, полученными с помощью модели полного высаживания. Такое сравнение позволяет оценить область применимости последней модели и определить источники присущей ей погрешности.