Высокоэнергетичная ионная имплантация

Рассмотрены физические особенности ионно-лучевого легирования при повышенных энергиях ионных пучков. На основе решения транспортного уравнения для функции распределения ионов по пробегам рассчитаны количественные характеристики пространственных распределений примеси при ионной имплантации бора и фосфора в кремний при энергии до 10 МэВ. Рассмотрена роль упругих и неупругих процессов при имплантации примеси и радиационном повреждении кристалла в условиях высокоэнергетического ионного облучения. Продемонстрированы возможности метода высокоэнергетической ионной имплантации на примерах легирования сквозь окна в масках, а также создания скрытых и однородно легированных слоев.