Формирование неоднородности состава кристаллов арсенида галлия, обусловленной дислокациями

Исследован характер корреляций между радиальными распределениями удельного сопротивления $\rho$ и коэффициента интенсивности и напряжений $k_{1c}$, с одной стороны, и плотности дислокаций $N_{d}$ с другой, в монокристаллах нелегированного арсенида галлия. Показано, что экстремальный характер зависимостей $\rho$ и $k_{1c}$ от состава кристалла обусловливает смену характера корреляции с распределением $N_{d}$ при увеличении содержания мышьяка. Полученные данные свидетельствуют в пользу вывода об обогащении мышьяком областей с повышенной $N_{d}$ Рассмотрен механизм формирования неоднородности состава кристалла, коррелирующей с распределением дислокаций.