Аннотация:
Исходя из дифференциального уравнения диффузии
электронов во внешнем магнитное поле, определены концентрация
и специфика пространственного распределения электронов в диэлектрическом
цилиндре-реакторе установки СВЧ вакуумно-плазменного травления.
Исследованы стационарные режимы горения плазмы, его устойчивости.
На основании формулы для концентрации электронов приведены
решения некоторых практических задач в обеспечении
оптимизации технологического процесса СВЧ вакуумно-плазменного
травления микроструктур. Представлено физическое описание процессов, имеющих актуальное
техническое применение в разработке и создании современного
оборудования микроэлектроники.