Особенности взаимодействия импульсного лазерного излучения на ${\lambda=1.06}$ мкм с электро- и светоуправляемыми жидкокристаллическими модуляторами

Исследовано изменение контрастно-временны́х характеристик модулятора света типа халькогенидный стеклообразный полупроводник–жидкий кристалл (ХСП–ЖК) под действием рабочих значений плотностей энергии считывающего импульсного излучения лазера на АИГ : Nd$^{3+}$. Основными причинами изменения характеристик являются нагрев жидкого кристалла благодаря поглощению излучения фоточувствительным слоем и проводящими электродами и фотогенерация носителей заряда в ХСП, приводящая, в частности, к ограничению реверсивности ПВМС на уровне нескольких герц. Характерные времена отклика модулятора не превосходят 1 мс при нагреве и 1 с при фотогенерации.