Количественная модель накопления заряда в МДП транзисторах под действием ионизирующего излучения

Экспериментально исследовано изменение порогового напряжения $p$-канальных МДП транзисторов от дозы облучения электронами. Создана количественная модель, описывающая накопление заряда в окисле и изменение порогового напряжения для случаев: 1)  однородного распределения ловушек по толщине окисла, 2)  неоднородного распределения в виде слоя на границе Si$-$SiO$_{2}$, 3)  неоднородного распределения в виде двух слоев ловушек на границах Si$-$SiO$_{2}$, Al$-$SiO$_{2}$. Из сравнения результатов эксперимента с расчетом показано, что наилучшее согласие достигается для случая однослойного или двухслойного распределения ловушек. Определены кинетические коэффициенты, описывающие накопление заряда в окисле.