RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 1989, том 59, выпуск 8, страницы 29–31 (Mi jtf3436)

Твердотельная электроника

Плотность критического тока ВТСП керамик на основе иттрия и таллия, полученных методом СВС

А. Д. Кикин, А. Г. Пересада, Ю. С. Каримов, М. Д. Нерсесян,


Аннотация: Исследованы образцы сверхпроводящей керамики на основе Y и Tl, полученные методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза. Величина плотности критического тока при ${T=77}$ K в нулевом магнитном поле ${J_{c}=150\,\text{А/см}^{2}}$ для YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$ и ${J_{c}=63\,\text{А/см}^{2}}$ для Тl$_{2}$Ba$_{2}$Ca$_{2}$Cu$_{3}$O$_{x}$ примерно соответствует встречающимся в литературе. Вид зависимостей $J_{c}(H)$ одинаков для двух типов керамик и свидетельствует о формировании на границах гранул джозефсоновских переходов. По зависимости $J_{c}(T)$ определен $S{-}I{-}S$-тип переходов в керамике YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$.



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025