RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Журнал технической физики
// Архив
ЖТФ,
1986
, том 56,
выпуск 9,
страницы
1827–1829
(Mi jtf364)
Краткие сообщения
О влиянии эффекта полного увлечения неосновных носителей заряда основными на свойства многослойных полупроводниковых структур
Б. Н. Грессеров
,
Т. Т. Мнацаканов
Всесоюзный электротехнический институт им. В. И. Ленина, Москва
УДК:
537.311.33
Поступила в редакцию:
27.04.1985
Исправленный вариант:
14.10.1985
Полный текст:
PDF файл (392 kB)
Реферативные базы данных:
©
МИАН
, 2024