RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 1986, том 56, выпуск 9, страницы 1827–1829 (Mi jtf364)

Краткие сообщения

О влиянии эффекта полного увлечения неосновных носителей заряда основными на свойства многослойных полупроводниковых структур

Б. Н. Грессеров, Т. Т. Мнацаканов

Всесоюзный электротехнический институт им. В. И. Ленина, Москва

УДК: 537.311.33

Поступила в редакцию: 27.04.1985
Исправленный вариант: 14.10.1985



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024