RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 1989, том 59, выпуск 12, страницы 26–34 (Mi jtf3646)

Твердотельная электроника

Экспериментальное исследование резистивной одноквантовой логической структуры

А. Н. Выставкин, В. К. Каплуненко, В. П. Кошелец, К. К. Лихарев, В. В. Мигулин, О. А. Муханов, Г. А. Овсянников, В. К. Семенов, И. Л. Серпученко


Аннотация: Разработана и экспериментально исследована тестовая структура для проверки основных узлов недавно предложенной резистивной одноквантовой логики. Структура включает генератор одноквантовых импульсов, отрезок нейристорной линии для их передачи, усилители для размножения и объединения импульсов, а также универсальный логический элемент ИЛИ$-$НЕ. Функционирование схемы проверялось измерением постоянных напряжений $\bar V$ на различных элементах структуры, величины которых связаны с частотами проходящих информационных импульсов соотношением Джозефсона ${f={\bar V}/\Phi_{0}}$. Структура была выполнена с использованием сверхпроводниковых переходов на основе пленок ниобия с минимальной площадью ${10\times10}$ мкм и плотностью критического тока ${j_{c}=2\div5\cdot10^{2}\,\text{А/см}^{2}}$, шунтированных внешними резисторами с сопротивлениями ${\sim1}$ Ом, что обеспечивало малые значения нормированной емкости переходов (${\beta_{c}\leqslant1}$) и относительно большие значения характерного напряжения ${I_{c}R_{N}\simeq100\div500}$ мкВ.
Испытания показали работоспособность всей тестовой схемы на тактовых частотах до 30 ГГц, а самого логического элемента — до 48 ГГц.



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024