Устойчивость ионов в последовательности электронных сгустков

Изложена самосогласованная теория устойчивости ионов в последовательности электронных сгустков. В теории учтено изменение плотности ионного остова, вызванное движением ионов в фокусирующем поле сгустков и дефокусирующем собственном поле. На основе предположения о периодическом ламинарном движении ионов на пределе их устойчивости определена функциональная зависимость максимально возможного коэффициента зарядовой компенсации лучка от тока этого пучка и геометрии составляющих его сгустков. Приведены результаты расчетов для случаев цилиндрического и плоского сечений пучков с однородной плотностью электронов в сгустках.
Приведены результаты численного эксперимента по изучению зависимости компенсации от интенсивности пучка. Сравнение этих результатов с предсказаниями самосогласованной теории и известной ранее теории жесткого остова подтверждают обоснованность модельных предположений самосогласованной теории.