О возможности синтеза гетероэпитаксиальных слоев Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te методом плазмохимического осаждения из МОС

Сообщается о получении пленок Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te методом газофазной эпитаксии из металло-органических соединений (МОС), стимулированной высокочастотным плазменным разрядом. Осаждение проводилось на буферные слои CdTe, выращенные тем же методом на GaAs. Использование ВЧ разряда позволило снизить температуру осаждения Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te до $100^{\circ}$С. Полученные пленки были монокристаллическими, имели зеркальную поверхность и низкую плотность двойников; типичные значения концентрации ($n$-тип, $x=0.2$) и подвижности при 77 K составляли соответственно $8\cdot 10^{16}$ см$^{-3}$ и $4\cdot 10^{4}$ см$^{2}$/(В $\cdot$ с).
Проведенные исследования показали, что процесс роста аналогичен имеющему место при молекулярно-лучевой эпитаксии, а составом пленок можно управлять, меняя температуру подложки или соотношение парциальных давлений исходных МОС. Обсуждается также возможность сочетания данного метода с технологией IMP — поочередного осаждения слоев CdTe и HgTe с последующим отжигом для получения Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te заданного состава.