Экспериментальное подтверждение модели релаксационной жидкостной
эпитаксии с инверсией массопереноса, предназначенной для создания
супертонких слоев $A^{3}B^{5}$
Аннотация:
Изложены результаты экспериментальной
проверки (на примере выращивания слоев
GaAs на подложке GaAlAs) следствий ранее опубликованной модели релаксационной
жидкостной эпитаксии с инверсией массопереноса, позволяющей создавать
супертонкие (${\sim 100}$ Å) слои при любой
температуре эпитаксии и сколь угодно большом
времени контакта раствора$-$расплава с подложкой. Гетероэпитаксия GaAs на подложке GaAlAs осуществлялась из пересыщенного
раствора$-$расплава Ga$-$As, находящегося в капилляре,
образованном подложкой GaAlAs
(основной) и вспомогательной пластинкой GaAs (инвертирующей). Экспериментально показано следующее. Толщина слоя GaAs на основпой подложке
существенно меньше толщины слоя GaAs на инвертирующей пластинке. Отношение
толщины слоя GaAs, выращенного на подложке GaAlAs к толщине слоя GaAs,
вырастающего на пластинке GaAs, тем меньше, чем меньше переохлаждение
раствора$-$расплава, чем
меньше толщина капилляра и чем больше содержание AlAs в подложке. Экспериментальные результаты соответствуют следствиям модели.