Сложного вида автосолитоны в полупроводниковой и газовой плазме

Изучены свойства автосолитонов, образующихся в полупроводниковой и газовой плазме в виде уединенных сильнонеравновесных областей. С помощью численного моделирования показано, что в полупроводниках и газовой плазме, кроме автосолитонов (АС), в виде простых уединенных состояний можно возбудить АС сложного вида, как зеркально-симметричные, так и несимметричные. Последние содержат несколько областей — страт высокого либо низкого значения температуры или концентрации горячих носителей, имеющих разную ширину и находящихся на различных расстояниях друг от друга.
Изучена устойчивость и кинетика образования АС сложной формы в однородной устойчивой электронно-дырочной плазме. Проанализирована эволюция сложных АС при изменении уровня разогрева плазмы и выяснено, что она существенно отличается от картины эволюции простого АС. Прослежена кинетика скачкообразных прекращений одного сложного АС в качественно иной АС при критических значениях уровня разогрева плазмы.