Исследование влияния границы фоторефрактивного пьезокристалла на структуру наведенных полей при записи голографических решеток

При записи голографических решеток в фоторефрактивных кристаллах вблизи границ возможно существование неоднородных упругих и электростатических полей. В работе изучена структура таких полей для полуограниченных пьезокристаллов классов симметрии $3m$ и $4mm$ в случае, когда нормаль к границе совпадает с осью $Y$, а вектор решетки - с осью $Z$. Экспериментально исследована дифракция волноводных $TE$-мод планарного волновода Ti : LiNbO$_{3}$ : Cu на сформированной в подложке голографической решетке, в результате чего получено подтверждение неоднородности наведенных упругих и электрических полей.