Взаимодействие кремния с поверхностью грани $(10\bar{1}0)$ рения: адсорбция, десорбция, образование силицидов

Методами электронной оже-спектроскопии и термоэмиссии изучено взаимодействие атомов кремния с гранью $(10\bar{1}0)$ рения (монокристалл и текстурированная лента) в широкой области температур 300$-$2000 K. При $T < 700$ K на поверхности металла строится многослойная пленка кремния. При $T=800{-}1100$ K идет активное образование силицидов, которое зависит от типа подложки (монокристалл или текстурированная лента). В интервале $T= 1250{-} 1500$ K все упавшие на поверхность атомы Si прилипают к ней вплоть до концентрации $N_{\text{Si}}=1.3\cdot 10^{15}$ ат./см$^{2}$ ($\theta=1$). После ее достижения все вновь поступившие атомы Si растворяются в объеме металла; объемные силициды при этих $T$ разрушаются. Получающееся покрытие, термостабильное в указанной области температур, имеет стехиометрию ReSi и названо авторами поверхностным силицидом. При $T=1500{-}2000$ K кремнии удаляется с поверхности термодесорбцией. Определена энергия активации десорбции атомов Si с поверхности рения: при изменении покрытия от 0 до 1 она изменяется от 5.8 до 4.2 эВ. Растворенные в объеме атомы Si удаляются путем термодесорбции при $T > 1500$ K через стадию поверхностного силицида.