Глубина проникновения электромагнитного поля в сверхпроводниковые пленки нитрида ниобия

Для пленок NbN гранулированной структуры ($p = 1{-}5\cdot 10^{-5}$ Ом$\,\cdot\,$м, $T_{c}=11{-}13$ К) по температурной зависимости резонансной частоты СВЧ микрополосковых резонаторов из нитрида ниобия получены значения глубины проникновения электромагнитного поля. Экспериментальные результаты анализировались на основе теории Амбегаокара$-$Баратова (АБ). Полученные данные о $\lambda(0)$, дополненные результатами других работ, позволили определить зависимость глубины проникновения поля в тонкие пленки NbN от их параметров $\rho$ и $T_{c}$, лежащих в интервале значений $5\cdot 10^{-7}{-}5\cdot 10^{-5}$ Ом$\,\cdot\,$м и $11{-}17$ K.