RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 1990, том 60, выпуск 7, страницы 78–83 (Mi jtf3917)

Твердотельная электроника

Теоретические основы релаксационной жидкостной эпитаксии с инверсией массопереноса

Т. В. Сакало, С. А. Кукушкин


Аннотация: Изложены теоретические основы релаксационной жидкостной эпитаксии с инверсией массопереноса, позволяющей выращивать сплошные супертонкие слои $AC$ на подложке $ABC$ при неограниченном времени контакта раствора$-$расплава $A{-}C$ с подложкой $ABC$.
Основная идея заключается в использовании для описания эволюции системы островков $AC$ на подложке $ABC$ уравнения Фоккер$-$Планка для функции распределения островков по размерам. Построена модель процесса в приближении однокомпонентного расплава и получена полная система уравнений, описывающая процесс. Путем численного решения этой системы уравнений найдены функции распределения островков по размерам, зависимости степени заполнения основной подложки, скорости роста и толщины пленки от времени. Получены зависимости времени образования и толщины первичного сплошного слоя от величины начального переохлаждения раствора$-$расплава и угла смачивания основной подложки осаждаемым веществом.
Предлагаемый метод описания эволюции системы островков хорошо согласуется с экспериментом и может быть использован в широком классе задач.



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025