Эволюция электрического поля в силикате висмута при локальном фотовозбуждении

Проведен расчет эволюции электрического поля в высокоомном полупроводнике в условиях локального фотовозбуждения однородно поглощаемым светом (засветка кристалла узкой одиночной полоской). Полученное двумерное распределение поля пересчитано в распределение интенсивности света в интерференционной картине, возникающей при просвечивании кристалла в перпендикулярном полю направлении нефотоактивным поляризованным светом. Результаты расчета сопоставлены с интерференционной картиной, экспериментально полученной на кристалле Bi$_{12}$SiO$_{20}$. Рассчитана и сопоставлена с измерениями релаксация фототока при локальном возбуждении.