Генерация электронных пучков в ориентированных монокристаллах на протонных ускорителях

Рассмотрена возможность генерации электронных (позитронных) пучков на протонных ускорителях высокой энергии в ориентированном монокристаллическом конвертере. Показано, что для условий УНК ИФВЭ на энергию протонов 3000 ГэВ предложенный способ дает выигрыш в интенсивности электронных пучков в 1.3$-$2.5 раза в монокристалле кремния и 1.4$-$3.5 раза в монокристалле бериллия по сравнению с традиционным методом в области энергий электронов 500$-$2000 ГэВ соответственно. Развит аналитический метод расчета выходов электронов из монокристаллического конвертера.