RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 1991, том 61, выпуск 2, страницы 104–108 (Mi jtf4161)

Твердотельная электроника

Контроль объемного времени жизни и скорости поверхностной рекомбинации носителей заряда в полупроводниках методом инфракрасного лазерного зондирования

В. Б. Воронков, А. С. Иванов, К. Ф. Комаровских, Д. Г. Летенко, А. Б. Федорцов, Ю. В. Чуркин


Аннотация: Предложен бесконтактный оптический метод измерения объемного времени жизни неравновесных носителей заряда и скорости их поверхностной рекомбинации, основанный на оптической генерации неравновесных носителей заряда в полупроводниках и бесконтактном оптическом интерференционном съеме информации. Исследованы серии образцов из кремния различной толщины с различным состоянием поверхности. При существенном различии эффективных времен жизни исследуемых образцов объемное время жизни лежит в диапазоне 320$-$350 мкс. Эти величины, а также значения скоростей поверхностной рекомбинации для различного состояния поверхности хорошо согласуются с данными, полученными для исследуемых образцов другими методами.



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024