Аннотация:
Предложен бесконтактный оптический метод измерения объемного
времени жизни неравновесных носителей заряда и скорости их поверхностной
рекомбинации, основанный на оптической генерации неравновесных носителей
заряда в полупроводниках и бесконтактном оптическом интерференционном
съеме информации. Исследованы серии образцов из кремния различной толщины
с различным состоянием поверхности. При существенном различии эффективных
времен жизни исследуемых образцов объемное время жизни лежит в диапазоне
320$-$350 мкс. Эти величины, а также значения скоростей поверхностной
рекомбинации для различного состояния поверхности хорошо согласуются
с данными, полученными для исследуемых образцов другими методами.