ЭЖЭ — рост объемных кристаллов и одновременное получение слоев на нескольких подложках

Разработано кристаллизационное устройство для получения слоев и кристаллов соединений A$_{3}$B$_{5}$, пригодное к использованию как в наземных условиях, так и в условиях микроускорений. Методом ЭЖЭ в неземных условиях получены в атмосфере водорода и в атмосфере аргона слои GaAs толщиной до 2 мм. Продемонстрирована возможность получения слоев GaAs методом ЭЖЭ одновременно на нескольких подложках в течение одного технологического процесса. Исследованы возможности кристаллизации слоев GaAs в вакууме. Анализируются параметры полученных слоев.