Модель осаждения в горизонтальном проточном газоэпитаксиальном реакторе

Рассмотрен изотермический массоперенос в газоэпитаксиальном реакторе с наклонным подложкодержателем, широко используемом для производства полупроводниковых структур. Для диффузионного режима осаждения установлены закономерности роста слоев, найдены условия получения однородных по длине пленок. Получена оценка переходной области течения газа при смене геометрии реактора в начале подложкодержателя.