Эффект стохастизации движения релятивистских электронов вдоль оси монокристалла

Описана методика, позволяющая изучать изменение выхода ядерной реакции в зависимости от глубины проникновения релятивистских электронов в монокристалл кремния вдоль одного из главных направлений вплоть до толщин ${\sim2}$ мкм. Разработанный метод исследования основан на последовательном применении процедуры, заключающейся в формировании на поверхности облученной мишени тонкой и однородной окисной пленки фиксированной толщины и последующем ее растворении, сопровождающемся измерением активности стравленных слоев. Приводятся результаты применения указанной методики к случаю аксиального каналирования электронов с энергией ${\sim50}$ МэВ. Значительное отличие измеренной величины от вычисленной с помощью метода, основанного на предположении о хорошо определенных состояниях, позволяет сделать утверждение о сильной стохастивации поперечного движения заряженных частиц.