Высокочастотный разряд в гелии, используемый для плазмохимического осаждения полупроводниковых пленок из металлоорганических соединений

Предложена модель высокочастотного разряда индуктивного типа в гелии при давлении ${p\sim1}$ Тор, используемого для стимуляции газофазной эпитаксии в проточном горизонтальном реакторе из металлоорганических соединений. В результате расчетов получены как кинетика разряда, так и зависимость стационарных концентрации и температуры электронов от давления гелия, мощности, подаваемой на индуктор, концентрации примеси. Показано, что разряд горит лишь в определенном (и довольно узком) интервале давлений, пороговые значения $p$ зависят от мощности и концентрации примеси. Количественная проверка расчетных результатов была проведена в специальных модельных экспериментах по осаждению пленок Те и Cd. Зависимость положения максимума осаждения от мощности, подаваемой на индуктор, совпала с расчетной и позволила определить константы скорости диссоциации электронным ударом молекул Те(СН$_{3}$)$_{2}$ и Cd(CH$_{3}$)$_{2}$ $2.17\cdot10^{-11}$ и $8.58\cdot10^{-11}$ см$^{3}$/с соответственно.