Высокотемпературная стадия теплового пробоя полупроводников

Исследована заключительная стадия теплового пробоя полупроводниковых приборов, в течение которой происходит увеличение сечения шнура расплава, образовавшегося на предыдущих стадиях пробоя. Рассматриваются шнуры, замыкающие контакты, испарение с поверхности расплава отсутствует. На основе анализа одномерной задачи теплопроводности с движущейся границей плавления сформулированы основные закономерности этого процесса. С помощью численных методов рассчитаны характеристики цилиндрических шнуров расплава. Сравнение с экспериментом показало, что предложенная модель хорошо описывает характеристики реальных приборов на последней высокотемпературной стадии теплового пробоя.