Термогенерационный пробой канала двойной инжекции в полупроводниковой структуре

Предложена аналитическая самосогласованная модель дрейфового и термогенерационного механизмов накопления плазмы в условиях нестационарного джоулева разогрева канал двойной инжекции с учетом рекомбинации Шокли$-$Рида. Показано, что из-за сильной неоднородности тепловыделения вдоль направления тока развитие явлений, связанных с термогенерационным пробоем, приобретает характер волны повышенной концентрации и температуры, распространяющейся от катода к аноду. Найдены динамические распределения концентрации плазмы, температуры и электрического поля. Рассчитано влияние эффекта на переходные характеристики напряжения и получен критерий тепловой перегрузки диодных и тиристорных структур.