Зависимость параметров слоя Шоттки в полупроводнике с квантовой ямой от элекрического поля

Исследованы электронные свойства области пространственного заряда в широко зонном полупроводнике с слоем узкозонного полупроводника толщиной 10$-$150 Å — с квантовой ямой (КЯ). Рассчитана модель КЯ конечной глубины и ширины с «деформированным дном» при воздействии электрического поля. Показано, что по характерным напряжениям $U$ на экспериментальных зависимостях $C^{-2}$ и $dC^{-2}/dU$ от $U$ может быть определен ряд параметров КЯ.