Аннотация:
Проанализировано влияние микродефектов на область стабильной
работы регистра хранения информации памяти на вертикальных блоховских
линиях (ВБЛ). Проведен численный расчет на основе одномерных уравнений
Слончевского, учитывающих действие дефектов, обусловливающих коэрцитивность
доменной границы (ДГ). Показано, что наличие дефектов приводит к разбросу
критических значений управляющего магнитного поля смещения и тем самым
к уменьшению области стабильной работы регистра. Получены аналитические оценки
дисперсии критических полей, устанавливающие связь дисперсии с коэрцитивностью
ДГ и ВБЛ. Найдено ограничение, накладываемое требованием бесперебойной работы
ЗУ на ВБЛ, на дисперсию критических полей. Показано, что для типичных пленок
и параметров регистра разброс критических значений управляющих полей
относительно невелик, однако требование надежной работы ЗУ большой емкости
в течение длительного времени накладывает довольно
жесткое ограничение на коэрцитивность ДГ и ВБЛ.