К расчету МДП структуры с квазиодномерным электронным газом

Анализируются сверхузкие (шириной $\leqslant1$ мкм) квазиодномерные $n$-МДП каналы на кремнии, ограниченные с боков обратносмещенными относительно $n$-подложки $p^{+}$-областями. Рассматриваются вопросы о распределении зарядов в структуре, о расслоении средней $n$-области. Особое внимание уделяется приближению сильно неоднородного двумерного электронного газа и соответствующей постановки задачи в квазиравновесном рассмотрении, когда квазиуровень Ферми для электронов в области аккумуляции в общем случае не совпадает с уровнем Ферми нейтральной части $n$-полупроводника. При этом принимается во внимание квантование в $+z$-направлении, а вдоль $x$-направления ситуация рассматривается классически.