RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 1992, том 62, выпуск 1, страницы 108–112 (Mi jtf4538)

Твердотельная электроника

Параметры фотопреобразователей на основе пленок аморфного гидрированного кремния, полученного в тетродной системе

М. М. Мездрогина, О. А. Голикова, М. М. Казанин, Г. Юшка, К. Арлаускас, У. С. Бабаходжаев, Р. Г. Икрамов


Аннотация: Рассмотрено влияние параметров собственного слоя на величины тока короткого замыкания, напряжение разомкнутой цепи в ФЭП на основе пленок аморфного гидрированного кремния. Слои были получены в тетродной системе нанесения, отличающейся от обычно применяемой диодной системы наличием двух дополнительных электродов–сеток. Показано, что в отличие от диодной системы увеличение энергии активации электропроводности слоя собственной проводимости до 0.85$-$0.88 эВ приводит к увеличению тока короткого замыкания. Дальнейшее увеличение энергии активации до 1.0$-$1.1 эВ приводит к уменьшению тока короткого замыкания. Напряжение разомкнутой цепи увеличивается плавно при увеличении энергии активации. Введение примесей (фосфора, кислорода, бора, углерода) приводит к изменению параметров ФЭП.



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024