Искусственное пироэлектричество в арсениде галлия

В полупроводниках$-$пьезоэлектриках со структурой сфалерита (типа $A^{\text{III}}B^{\text V}$) в пластинках специальных срезов при анизотропном ограничении термических деформаций возникает термопьезоэлектричество — эффект, аналогичный пироэлектрическому с коэффициентом для GaAs ${\gamma^{}_{111}=1.5}$ мкКл/м$^{2}\cdot$ K и вольтовой чувствительностью ${\sim0.02}\,\text{В}\!\cdot\!\text{м}^{2}/\text{Дж}$ (как в пироэлектрической керамике). Пластинка арсенида галлия толщиной 100 мкм при изменении температуры на 1 K изменяет электрический потенциал на ${\sim2}$ В, что могло бы представить интерес для интегральных многоэлементных планарных тепловых детекторов инфракрасного излучения.