Аннотация:
Предложена модель эволюции кластеров радиационных точечных
дефектов с различными подвижностями в кристаллах под облучением. В качестве
примера рассмотрено применение модели для случая щелочно-галоидных
кристаллов. При этом получены расчетные зависимости временного
изменения концентраций дефектов и радиусов кластеров дефектов. Также
проведено сравнение расчетных результатов с экспериментальными данными.