Спонтанная ориентация слоя жидкого кристалла, граничащего с твердой стенкой, стимулированная термоэлектронной эмиссией

На основе предлагаемою механизма ориентации и переориентации дипольных молекул жидкого кристалла в системе полупроводник$-$жидкий кристалл$-$металл проводится расчет распределения концентрации носителей тока, напряженности электрического поля и потенциала по толщине слоя жидкого кристалла, находятся углы отклонения директора от пленарной ориентации в процессе спонтанного ориентационного перехода в отсутствие внешнего электрического поля, обсуждаются вопросы, связанные с минимизацией энергии сцепления молекул жидкого кристалла с твердой подложкой, проводится рассмотрение компонент поверхностной поляризации слоя жидкого кристалла на границе с твердой стенкой. Полученные в работе результаты могут быть использованы при выборе оптимальных параметров и проведении практических расчетов электрооптических транспарантов на основе структур полупроводник$-$жидкий кристалл$-$металл.