Моделирование процессов в He$-$Cd смеси при ионной и электронной накачках

Исследовано влияние функции распределения вторичных электронов, образующихся при торможении пучка электронов и протонов, являющихся продуктами ${}^{3}\text{He}(n,p)^{3}T$ ядерной реакции, на скорости накачки рабочих лазерных уровней He$-$Cd смеси. Показано, что скорость образования иона CdII ($4d^{9}5s^{22}D_{3/2,5/2}$) прямым электронным ударом не зависит от типа источника накачки, а определяется величиной удельного энерговклада в газовую смесь. На основе рассчитанных скоростей возбуждения проведено моделирование излучения He$-$Cd смеси при электронной и ионной накачках.