Релаксационная жидкостная эпитаксия с инверсией массопереноса: модель и эксперимент

Рассмотрена математическая модель ранее опубликованного метода релаксационной жидкостной эпитаксии с инверсией массопереноса. Этот метод позволяет выращивать тонкие (${\sim100}$ Å) слои $AC$ на подложке $ABC$ при любой температуре эпитаксии и неограниченном времени контакта раствора-расплава $A{-}C$ с подложкой $ABC$. Рост тонкого слоя $AC$ из раствора-расплава $A{-}C$ осуществлялся в зазоре, образованном основной $ABC$ и инвертирующей $AC$ подложками. В основу математической модели положен учет существенного отличия механизмов начальных стадий роста слоев на основной и инвертирующей подложках и взаимное влияние этих подложек в процессе релаксации пересыщения раствора-расплава.
Модель проверялась на примере выращивания слоев GaAs на основной подложке Ga$_{0.6}$Al$_{0.4}$As и инвертирующей GaAs из раствора-расплава Ga$-$As. Предлагаемая модель хорошо согласуется с экспериментом.