Ионная проводимость кристаллов при радиационно-механическом воздействии

На основании результатов математического моделирования на ЭВМ процессов образования и миграции дефектов Френкеля в ионных кристаллах в условиях сопряженного действия радиации и различных полей (электрических и упругих), как статических, так и динамических, делается вывод о возможности резкого повышения электропроводности ионных кристаллов при облучении в таких условиях за счет повышения как подвижности межузельных ионов, так и их концентрации, а также о возможности перехода в суперионное состояние путем приложения механической растягивающей нагрузки.