RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 1986, том 56, выпуск 11, страницы 2245–2247 (Mi jtf462)

Краткие сообщения

Особенности электрофизических и структурных свойств изолирующих слоев в системе GaAs$-$AlAs, полученных МОС гидридным методом

Э. А. Ильичев, С. К. Максимов, Е. Н. Нагдаев, Э. А. Полторацкий, А. В. Родионов, Ю. В. Слепнев


УДК: 637.311.33

Поступила в редакцию: 24.09.1985
Исправленный вариант: 02.12.1985



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024