Свойства емкостного поперечного ВЧ разряда повышенного давления кислорода, используемого при получении тонких пленок сложного оксида

Рассмотрены особенности стационарного ВЧ разряда, обеспечивающего синтез и кристаллизацию тонких пленок сложного оксида в процессе их непосредственного осаждения, при изменении внешних энергетических параметров. Методом оптической спектроскопии показано, что ВЧ распыление сложных оксидов Bi$-$Sr$-$Ca$-$Cu$-$O и Y$-$Ba$-$Cu$-$O происходит на атомарном уровне без образования на поверхности измененного по составу слоя. Установлено влияние положения подложки на элементарные процессы в газовом разряде, приводящие к возбужденному состоянию распыленных атомов.