М. М. Бонч-Осмоловский, Т. И. Галкина, А. Ю. Клоков, А. Е. Индейкина, Ю. С. Рязанцев, Ю. А. Сергеев, В. М. Шевцова, “Математическая модель отклика болометрической структуры на основе высокотемпературного сверхпроводника при возбуждении импульсом УФ лазера”, ЖТФ, 1992, том 62, выпуск 7,страницы 12

Теоретическая и математическая физика

Математическая модель отклика болометрической структуры на основе высокотемпературного сверхпроводника при возбуждении импульсом УФ лазера

М. М. Бонч-Осмоловский, Т. И. Галкина, А. Ю. Клоков, А. Е. Индейкина, Ю. С. Рязанцев, Ю. А. Сергеев, В. М. Шевцова

Аннотация: Предложена математическая модель нестационарного процесса отклика болометрической структуры, состоящей из выращенной на подложке пленки высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП), на облучение импульсным излучением лазера. Аналитически определена форма отклика в зависимости от амплитуды, длительности и формы импульса лазера. Доказано соответствие результатов, полученных на основе предложенной модели, экспериментальным данным работы [1].
Ранее несколько отличающаяся от предложенной в настоящей работе модель отклика болометрической структуры на основе ВТСП на импульсное излучение исследовалась в работе [2] при помощи численных методов.