Инжекция плазмы из независимого СВЧ источника в открытую магнитную ловушку.

Описываются эксперименты по заполнению открытой магнитной ловушки с однородным магнитным полем плазмой, инжектируемой из независимого СВЧ источника. В источнике плазма с концентрацией от $10^{9}$ до $10^{12}\,\text{см}^{-3}$ и температурой 3$-$8 эВ создается в режиме ЭЦР на частоте 2400 МГц (подводимая мощность до 150 Вт) при давлении рабочего газа (Ar, He, Ne) $10^{-5}{-}10^{-2}$ Тор. Расстояние между источником плазмы и ловушкой можно менять в пределах 30$-$80 см практически без ухудшения эффективности заполнения ловушки плазмой. Подробно изучены характеристики плазмы в ловушке. Показано, что особенно при низких давлениях ($p<10^{-3}$ Тор) однородность заполнения весьма высока. Кроме того, обнаружено существование группы быстрых электронов, рождаемой в СВЧ источнике плазмы, которая вносит определенный вклад в заполнение ловушки плазмой при высоких давлениях ($p>10^{-3}$ Тор) путем ионизации нейтрального газа в разрядном баллоне.