Определение диффузионной длины носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках по данным метода постоянного фототока

Анализируются недостатки одной из методик экспериментального определения диффузионной длины носителей заряда в полупроводниках. В качестве альтернативного варианта предлагается использовать метод постоянного фототока в области, в которой не выполняется условие объемного возбуждения образцов. Выведены соотношения, связывающие спектрально зависимую величину потока фотонов с оптическим коэффициентом поглощения и диффузионной длиной носителей заряда при условии постоянного фототока в структурах с нижним планарным расположением металлических электродов. Приведены полученные с использованием новой методики определения диффузионной длины результаты исследования образцов аморфного гидрогенизированного кремния, приготовленных методом ВЧ распыления при различных значениях температуры подложки. Обнаружено уменьшение диффузионной длины носителей заряда в пленках $a$-Si : H с большим содержанием SiH$_{2}$ комплексов.