Межфазные взаимодействия в тонкопленочных поверхностно-барьерных структурах Pt$-$GaAs

Исследованы физико-химические процессы в барьерных структурах на основе Pt$-$GaAs при термических и радиационных воздействиях. Показано, что деградация характеристик диодов Шоттки при термообработке связана с межфазными взаимодействиями на границе Pt$-$GaAs, зависящими от присутствия на ней атомов буферного металла, влияющего на строение и фазовый состав межфазной границы. Обработка $\gamma$-квантами обеспечивает химическую гомогенизацию переходной области контакта и уменьшает ее размеры, следствием чего является улучшение рекомбинационных свойств и электрических параметров диодов.