Канализация электромагнитного излучения поперечно ограниченным пучково-плазменным слоем при развитии неустойчивости

Теоретически исследуется развитие неустойчивости в пучково-плазменном слое с открытыми боковыми границами. Показано, что с ростом тока релятивистского электронного пучка неустойчивость приобретает излучательный характер, когда становится существенным излучение электромагнитных волн в поперечном направлении. В таких условиях имеет место концентрация поля излучения вблизи пучково-плазменного слоя, а максимальный инкремент неустойчивости пропорционален плотности пучка в степени 3/4.