О памяти эффекта Ротштейна

В рамках модели захвата электронов на мелкие промежуточные уровни рассматривается «память» эффекта увеличения чувствительности бромосеребряных эмульсий в импульсном электрическом поле (эффект Ротштейна). Получены выражения для зависимости чувствительности эмульсии в электрическом поле от задержки между экспозицией и управляющим электрическим импульсом для двух- и трехуровневой систем электронных ловушек. Показано, что двухкомпонентная память эффекта Ротштейна (40 мкс и 3.5 мс) объясняется наличием двух промежуточных центров захвата, предположительно с зарядом $+e/2$; оцененная глубина ловушек составляет 0.2 и 0.4 эВ.