RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 1986, том 56, выпуск 12, страницы 2340–2345 (Mi jtf483)

Квантовая электроника

Влияние концентрации галогеноносителя на устойчивость разряда и энергетические характеристики лазеров на смеси Не/Хе/НСl Численное моделирование

В. М. Багинский, П. М. Головинский, А. И. Щедрин

Институт физики АН УССР, Киев

Аннотация: Проведено численное моделирование развития ступенчато-ионизационной неустойчивости в смеси Не/Хе/НСl с различным содержанием галогеноносителя в условиях лазерной генерации. Показано, что время развития неустойчивости при увеличении давления НСl уменьшается, а энергия излучения (${\lambda=308}$ нм) вследствие этого проходит через максимум, который в зависимости от электрического поля находится в интервале концентраций ${N_{\text{HCl}}=4\cdot10^{16}\div10^{17}\,\text{см}^{-3}}$.

УДК: 621.378.325

Поступила в редакцию: 30.12.1985



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024